realme GT Neo 6 отримає надшвидку зарядку та чип Snapdragon 8s Gen 3

Авторитетний інсайдер під ніком Digital Chat Station розкрив деякі цікаві подробиці про майбутній субфлагман realme GT Neo 6, вихід якого заплановано на травень 2024 року.

За даними джерела, realme GT Neo 6 стане єдиним пристроєм серед смартфонів на чипі Snapdragon 8s Gen 3, оснащеним надшвидкою зарядкою потужністю понад 100 Вт.

Для порівняння поточні девайси на такому чипі пропонують зарядку до 90 Вт. Наприклад, Xiaomi Civi 4 Pro оснащений акумулятором ємністю 4700 мАг з підтримкою швидкої зарядки потужністю 67 Вт, тоді як Redmi Turbo 3 отримав акумулятор на 5000 мАг з підтримкою зарядки потужністю 90 Вт, а Nubia Z9 Turbo – 6000 мАг із зарядкою до 80 Вт.

Варто зазначити, що нещодавно китайське відомство 3C схвалило смартфон realme з номером моделі RMX3852 і підтримкою швидкої зарядки потужністю 121 Вт.

Очікується, що realme GT Neo 6 також отримає 6,78-дюймовий LTPO OLED-дисплей з роздільною здатністю 1,5K і частотою оновлення 120 Гц, до 16 ГБ оперативки і до 512 ГБ вбудованої пам’яті, а також основну камеру на 50 Мп.